簡要描述:MHY-14351型單晶少子壽命測試儀是參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載子壽命。
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單晶少子壽命測試儀 型號:MHY-14351
MHY-14351型單晶少子壽命測試儀是參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載子壽命測量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項(xiàng)目之。本儀器靈敏度較,配備有紅外光源,可測量包括集成電路硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
本儀器根據(jù)際通用方法頻光電導(dǎo)衰退法的原理,由穩(wěn)壓電源、頻源、檢波放大器,制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺共五份組成。采用印刷電路和頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。
術(shù) 標(biāo) :
測試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm
可測單晶少子壽命范圍 5μS~7000μS
配備光源類型 波長:1.09μm;余輝<1 μS;
閃光頻率為:20~30次/秒;
閃光頻率為:20~30次/秒;
頻振蕩源 用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz
前置放大器 放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測量重復(fù)誤差 <±20%
測量方式 采用對標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
儀器消耗率 <25W
儀器作條件 溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz
可測單晶尺寸 斷面豎測:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
縱向臥測:φ25mm—150mm; L 50mm—800mm;
配用示波器 頻寬0—20MHz;
電壓靈敏:10mV/cm;
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